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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC7680
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FDMC7680

更新时间： 2024-01-18 07:33:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 207K
描述
N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 14.8 A, 7.2 m

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FDMC7680 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：72 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：14.8 A
最大漏源导通电阻：0.0072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC7680 数据手册

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July 2009  
FDMC7680  
N-Channel Power Trench® MOSFETꢀ  
30 V, 14.8 A, 7.2 mꢁ  
Features  
General Description  
  Max rDS(on) = 7.2 mꢁ at VGS = 10 V, ID = 14.8 A  
  Max rDS(on) = 9.5 mꢁ at VGS = 4.5 V, ID = 12.4 A  
  High performance technology for extremely low rDS(on)  
  Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for Power Management and load switching  
applications common in Notebook Computers and Portable  
Battery Packs.  
Application  
  DC - DC Buck Converters  
  Notebook battery power management  
  Load switch in Notebook  
Bottom  
Top  
Pin 1  
G
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
5
6
7
8
S
S
S
D
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
18  
14.8  
ID  
(Note 1a)  
A
-Pulsed  
45  
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
(Note 1a)  
72  
2.3  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RꢂJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
53  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDMC7680  
Device  
FDMC7680  
Package  
MLP 3.3x3.3  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
3000 units  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC7680 Rev.B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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