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FDMC7672S-F125

更新时间： 2024-11-19 08:37:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 343K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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FDMC7672S-F125 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：36 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FDMC7672S-F125 数据手册

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September 2010  
FDMC7672S  
N-Channel Power Trench® SyncFETTMꢀ  
30 V, 14.8 A, 6.0 m:  
Features  
General Description  
This FDMC7672S is produced using Fairchild Semiconductor’s  
advanced Power Trench® process that has been especially  
tailored to minimize the on-state resistance. This device is well  
suited for Power Management and load switching applications  
common in Notebook Computers and Portable Battery packs.  
„ Max rDS(on) = 6.0 m: at VGS = 10 V, ID = 14.8 A  
„ Max rDS(on) = 7.1 m: at VGS = 4.5 V, ID = 12.4 A  
„ High performance technology for extremely low rDS(on)  
„ Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
Applications  
„ DC - DC Buck Converters  
„ Notebook battery power mangement  
„ Load switch in Notebook  
Bottom  
Top  
G
S
S
S
D
D
D
D
5
6
7
8
4
3
Pin 1  
G
S
S
S
2
1
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
V
V
20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
18  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
14.8  
A
-Pulsed  
45  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
60  
36  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.3  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RTJC  
RTJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.5  
53  
°C/W  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMC7672S  
FDMC7672S  
MLP 3.3X3.3  
3000 units  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC7672S Rev.C3  
www.fairchildsemi.com  
12345678

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与FDMC7672S-F125相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC7672S-F127 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDMC7678 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
FDMC7678 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，19.5A，5.3mΩ
FDMC7680 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 14.8 A,
FDMC7680 ONSEMI

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ
FDMC7692 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 13.3 A,
FDMC7692 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，13.3A，8.5mΩ
FDMC7692_10 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench® MOSFET
FDMC7692S FAIRCHILD

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 		N-Channel Power Trench? SyncFETTM
FDMC7692S ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，18A，9.3mΩ

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