是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.96 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.397 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-F8 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMC2610_07 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, | |
FDMC2610_12 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 200V, 9.5A | |
FDMC2674 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET | |
FDMC2674 | ONSEMI |
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N 沟道,UltraFET Trench MOSFET,220V,7.0A,366mΩ | |
FDMC2674_07 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, | |
FDMC2674_12 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, | |
FDMC2D8N025S | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® SyncFETTM,25V,124A,1.9mΩ | |
FDMC3020DC | FAIRCHILD |
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N-Channel Dual CoolTM PowerTrench® MOSFET 30 | |
FDMC3020DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET,30V,40A, | |
FDMC3300NZA | FAIRCHILD |
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Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |