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BUV20

更新时间： 2024-11-03 22:17:03
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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BUV20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BFM包装说明：TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：125 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8 MHzBase Number Matches：1

BUV20 数据手册

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ON Semiconductort  
BUV20  
BUV60  
SWITCHMODEt Series  
NPN Silicon Power Transistor  
. . . designed for high speed, high current, high power applications.  
50 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER  
• High DC current gain:  
h
FE  
min = 20 at I = 25 A  
C
METAL TRANSISTOR  
125 VOLTS  
= 10 at I = 50 A  
C
• Low V  
:
CE(sat)  
V
250 WATTS  
max. = 0.6 V at I = 25 A  
C
CE(sat)  
= 0.9 V at I = 50 A  
C
• Very fast switching times:  
T = 0.25 µs at I = 50 A  
F
C
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
BUV20  
BUV60  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emititer Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
125  
7
CEO(sus)  
CASE 197A–05  
TO–204AE  
(TO–3)  
V
CBO  
V
EBO  
160  
260  
Collector–Emitter Voltage (V  
–1.5 V)  
=
=
V
CEX  
160  
150  
260  
260  
BE  
Collector–Emitter voltage (R  
V
CER  
Vdc  
BE  
100 Ω)  
Collector–Current — Continuous  
— Peak (PW v  
I
50  
60  
Adc  
Apk  
C
I
CM  
10 ms)  
Base–Current continuous  
I
B
10  
Adc  
Total Power Dissipation @ T  
=
P
D
250  
Watts  
C
25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to 200  
_C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
BUV20  
BUV60  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to  
Case  
θ
0.7  
_C/W  
JC  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
40  
80  
120  
160  
200  
T , TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 10  
BUV20/D  
1234

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