BUV23

更新时间： 2024-01-01 11:19:41

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUV23 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	325 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
Base Number Matches：	1

BUV23 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUV23

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High DC current gain

·Very fast switching times

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for high current,high speed

and high power application.

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings (Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

400

UNIT

Open emitter

Open base

325

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

250

℃

T_j

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

0.7

℃/W

12 3

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