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BUV22

更新时间： 2024-11-03 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 250 VOLTS 250 WATTS

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BUV22 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-204AE
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8 MHz
Base Number Matches：1

BUV22 数据手册

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by BUV22/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
40 AMPERES  
NPN SILICON  
POWER  
. . . designed for high current, high speed, high power applications.  
METAL TRANSISTOR  
250 VOLTS  
•
•
•
High DC current gain: HFE min. = 20 at I = 10 A  
C
Low V  
: V  
max. = 1.0 V at I = 10 A  
250 WATTS  
CE(sat) CE(sat)  
C
Very fast switching times:  
T
max. = 0.35 µs at I = 20 A  
F
C
CASE 197A–05  
TO–204AE  
(TO–3)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
250  
300  
7
CEO(sus)  
V
CBO  
V
EBO  
Collector–Emitter Voltage (V  
= –1.5 V)  
V
300  
290  
BE  
CEX  
CER  
Collector–Emitter Voltage (R  
BE  
= 100 Ω)  
V
Collector–Current — Continuous  
— Peak (pw  
I
40  
50  
Adc  
Apk  
C
10 ms)  
I
CM  
Base–Current continuous  
I
8
Adc  
Watts  
C
B
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
P
250  
D
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to 200  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
0.7  
C/W  
JC  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
40  
80  
120  
160  
200  
T
, TEMPERATURE (°C)  
C
Figure 1. Power Derating  
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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