BUV23

更新时间： 2024-02-22 01:21:19

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POWER SWITCH APPLICATIONS

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BUV23 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	325 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
Base Number Matches：	1

BUV23 数据手册

NPN BUV23

POWER SWITCH APPLICATIONS

The BUV23 is silicon multiepitaxial mesa NPN transistors in Jedec TO-3.

They are intended for use in power switching appications in military and industrial equipments.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

I_B= 0

I_E= 0

I_C= 0

V_CEO

325

V_CBO

V_EBO

V_CEX

V_CER

I_C

400

7.0

_BE= -1.5V

_BE<= 100 Ω

400

390

Collector Peak Current

Base Current

t_p= 10ms

I_CM

I_B

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

@ T_C= 25°

P_t

250

Watts

°C

T_J

200

T_Stg

-65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

0.7

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Test Condition(s)

Symbol

V_CEO(SUS)

Ratings

Min Typ Mx Unit

Collector-Emitter

I_C=200 mA, L= 25mH

325

Sustaining Voltage (1)

Emitter-BaseBreakdown

I_C=0A , I_E=50 mA

V_EB0(SUS)

I_CEO

I_CEX

Voltage (1)

V_CE=260 V , I_B=0A

V_CE= V_CEX, V_BE= -1.5V

V_CE= V_CEX, V_BE= -1.5V, T_case= 125°C

Collector Cutoff Current

COMSET SEMICONDUCTORS

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