BUV25

更新时间： 2024-01-27 19:44:17

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV25 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	500 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUV25 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV25

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V (Max.)@I_C= 6A

·High Power Dissipation

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 500V (Min.)

APPLICATIONS

·Designed for use in power switching applications in military

and industrial equipments.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

500

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

250

200

-65~200

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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