BUV26

更新时间： 2024-01-07 14:42:01

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUV26 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.3
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUV26 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUV26

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·For use in high frequency and efficiency

converters,switching regulators and motor

control

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

180

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (peak)

Base current

I_CM

I_B

I_BM

Base current (peak)

P_tot

Total power dissipation

Max.operating junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction to mounting base

1.92

K/W

R_{th j-mb}

12 3

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