BUV26

更新时间： 2024-02-04 14:26:29

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3页	95K
描述
SILICON POWER TRANSISTORS

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BUV26 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.3
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUV26 数据手册

SEMICONDUCTORS

BUV26 – BUV26A

SILICON POWER TRANSISTORS

High-speed,NPN power transistors in a TO-220 envelope. They are intended for fast

switching applications such as high frequency and efficiency converters, switching regulators

and motor control.

Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Value

Symbol

Ratings

Unit

BUV26

BUV26A

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

I_E= 0

I_B= 0

I_C= 0

180

200

100

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

t_p= 10ms

I_CM

I_B

Collector Peak Current

Base Current

I_BM

P_t

Base Current

Power Dissipation

T_j

Junction Temperature

150

°C

T_stg

Storage Temperature range

-65 to 150

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_thJ-mb

Ratings

Value

Unit

BUV26

BUV26A

From junction to mounting base

1.76

°C/W

29/09/2012

COMSET SEMICONDUCTORS

1 | 3

12 3

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