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BUV27_03

更新时间： 2024-11-04 03:23:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
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描述
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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BUV27_03 数据手册

BUV27

MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

NPN TRANSISTOR

FAST SWITCHING SPEED

LOW COLLECTOR EMITTER SATURATION

APPLICATIONS

■

SWITCHING REGULATORS

MOTOR CONTROL

■

DESCRIPTION

The BUV27 is a Multiepitaxial Planar NPN

Transistor in TO-220 package. It is intended for

use in high frequency and efficency converters,

switching regulators and motor control.

TO-220

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

240

120

I_CM

Collector Peak Current

Base Current

I_B

I_BM

Base Peak Current

P_tot

Total Dissipation at Tc < 25 C

^oC

P_tot

Total Dissipation at T_c< 60 C

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to +175

175

Max. Operating Junction Temperature

1/4

February 2003

12 3 4

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