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BUV37

更新时间： 2024-10-01 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	219K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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BUV37 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8

BUV37 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV37

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V(Min.)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max.)@ I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for use in automotive ignition circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

600

400

UNIT

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

Base Current - Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

100

150

-65~150

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.25

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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