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BUV27A

更新时间： 2024-11-04 06:44:51

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	90K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUV27A 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUV27A

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·For use in high frequency and efficiency

converters,switching regulators and motor

control

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Tc=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current (peak)

Base current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

300

ꢀ

Open base

150

Open collector

I_CM

I_B

I_BM

Base current (peak)

P_tot

Total power dissipation

Max.operating junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

T_j

175

-65~175

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction case

1.76

ꢀ/W

R_{th j-case}

12 3

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