BUV298V

更新时间： 2024-09-30 22:27:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
NPN TRANSISTOR POWER MODULE

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BUV298V 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOTOP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.79	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	400 ns
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.2 V
Base Number Matches：	1

BUV298V 数据手册

BUV298V

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

■

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE

VERY LOW R_thJUNCTION CASE

SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD

AREAS

■

ISOLATED CASE (2500V RMS)

EASY TO MOUNT

LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE

APPLICATIONS:

Pin 4 not connected

■

MOTOR CONTROL

SMPS & UPS

WELDING EQUIPMENT

ISOTOP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -5 V)

Value

1000

450

Unit

V_CEV

V_CEO(sus)Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Collector Peak Current (t_p= 10 ms)

Base Current

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base Peak Current (t_p= 10 ms)

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Storage Temperature

250

^oC

-55 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)

V_ISO

2500

1/7

June 1997

12 3 4 5 6 7

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