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BUV298AV_01

更新时间： 2024-11-04 03:23:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
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7页	395K
描述
NPN TRANSISTOR POWER MODULE

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BUV298AV_01 数据手册

BUV298AV

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

■

HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE

VERY LOW R_thJUNCTION CASE

SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD

AREAS

■

INSULATED CASE (2500V RMS)

EASY TO MOUNT

LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE

INDUSTRIAL APPLICATIONS:

■

MOTOR CONTROL

SMPS & UPS

WELDING EQUIPMENT

Pin 4 not connected

ISOTOP

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -5 V)

Value

1000

450

Unit

V_CEV

V_CEO(sus)Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Collector Peak Current (t_p= 10 ms)

Base Current

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base Peak Current (t_p= 10 ms)

Total Dissipation at T_C= 25 C

250

^oC

Storage Temperature

-55 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

Insulation Withstand Voltage (AC-RMS)

V_ISO

2500

1/7

October 2001

12 3 4 5 6 7

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