BUV46

更新时间： 2024-09-30 22:27:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
4页	50K
描述
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BUV46 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.4	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	70 W	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
最大关闭时间（toff）：	3800 ns	最大开启时间（吨）：	1000 ns
VCEsat-Max：	5 V	Base Number Matches：	1

BUV46 数据手册

BUV46

BUV46A

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPES

■

NPN TRANSISTORS

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLE OPERATION

■

FAST SWITCHING SPEED

APPLICATIONS

■

GENERAL PURPOSE SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

ELECTRONIC BALLASTS FOR

FLUORESCENT LIGHTING

TO-220

DESCRIPTION

The devices are silicon Multiepitaxial Mesa NPN

transistors in the Jedec TO-220 plastic package

intended for high voltage, fast switching

applications.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

BUV46

850

BUV46A

1000

V_CES

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -2.5V)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

850

1000

400

450

I_B

Base Current

Total Dissipation at Tc = 25 ^oC

P_tot

T_stg

T_j

^oC

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/4

January 1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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