BUV28

更新时间： 2024-11-04 09:02:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUV28 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BUV28 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BUV28

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Low collector saturation voltage

·Fast switching speed

APPLICATIONS

·High frequency and efficiency converters

·Switching regulators

·Motor control

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

400

200

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_tot

Total power dissipation

Max.operating junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction case

1.785

℃/W

R_{th j-case}

12 3

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