BUV26AF

更新时间： 2024-11-04 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	113K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BUV26AF 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

BUV26F/AF

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 90V(Min)- BUV26F

100V(Min)- BUV26AF

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for fast switching applications such as high

frequency and efficiency converters, switching regulators

and motor control.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

180

200

UNIT

BUV26F

BUV26AF

BUV26F

BUV26AF

Collector-Emitter Voltage

V_BE= 0

V_CES

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

P_C

T_J

Collector Power Dissipation

℃

@ T_C=25℃

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

7.0

UNIT

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

R_{th j-c}

R_{th j-a}

isc Website：www.iscsemi.cn

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