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BUV24

更新时间： 2024-11-04 06:44:51

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV24 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV24

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V (Max.)@I_C= 6A

·High Power Dissipation

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 400V (Min.)

APPLICATIONS

·Designed for use in power switching applications in military

and industrial equipments.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

450

440

450

400

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

250

200

-65~200

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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