BUV23

更新时间： 2024-11-03 22:27:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管
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描述
30 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 325 VOLTS 250 WATTS

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BUV23 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	325 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUV23 数据手册

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by BUV23/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

30 AMPERES

NPN SILICON

POWER

. . . designed for high current, high speed, high power applications.

METAL TRANSISTOR

325 VOLTS

•

High DC current gain: HFE min. = 15 at I = 8 A

CE(sat) CE(sat) C

Very fast switching times:

= 0.4 µs at I = 16 A

Low V max. = 0.8 V at I = 8 A

, V

250 WATTS

CASE 197A–05

TO–204AE

(TO–3)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

325

400

CEO(sus)

CBO

EBO

Collector–Emitter Voltage (V

= –1.5 V)

400

390

CEX

CER

Collector–Emitter Voltage (R

= 100 Ω)

Collector–Current— Continuous

— Peak (pw

Adc

Apk

10 ms)

Base–Current continuous

Adc

Watts

Total Power Dissipation @ T = 25 C

250

Operating and Storage JunctionTemperature Range

T ,T

J stg

–65 to 200

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.7

C/W

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

120

160

200

, TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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