BUV22G

更新时间： 2024-01-13 23:46:15

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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4页	70K
描述
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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BUV22G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	BFM	包装说明：	CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	2 weeks
风险等级：	1.2	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUV22G 数据手册

BUV22

SWITCHMODEt Series

NPN Silicon Power

Transistor

This device is designed for high speed, high current, high power

applications.

http://onsemi.com

Features

40 AMPERES

• High DC Current Gain:

NPN SILICON POWER

METAL TRANSISTOR

250 VOLTS − 250 WATTS

min = 20 at I = 10 A

• Low V

, V

CE(sat)

max = 1.0 V at I = 10 A

• Very Fast Switching Times:

TF max = 0.35 ms at I = 20 A

• Pb−Free Package is Available*

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

250

300

Unit

Vdc

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

CEO(SUS)

CBO

EBO

TO−204AE (TO−3)

CASE 197A

Collector−Emitter Voltage (V = −1.5 V)

CEX

CER

300

290

Collector−Emitter Voltage (R = 100 W)

Collector−Current − Continuous

Adc

Apk

− Peak (PW v 10 ms)

MARKING DIAGRAM

Base−Current Continuous

Adc

Total Device Dissipation @ T = 25_C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

250

T , T

−65 to 200

stg

BUV22G

AYWW

MEX

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Case

0.7

_C/W

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

BUV22 = Device Code

= Pb−Free Package

= Assembly Location

= Year

MEX

= Work Week

= Country of Origin

ORDERING INFORMATION

Device

BUV22

Package

Shipping

TO−204

100 Units / Tray

BUV22G

TO−204

(Pb−Free)

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Publication Order Number:

February, 2006 − Rev. 10

BUV22/D

12 3 4

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BUV22G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUV22	ONSEMI	类似代替	SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
BD239C	ONSEMI	功能相似	NPN外延硅晶体管

与BUV22G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUV23	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BUV23	MOTOROLA	获取价格	30 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 325 VOLTS 250 WATTS
BUV23	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUV23	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
BUV23	COMSET	获取价格	POWER SWITCH APPLICATIONS
BUV23_12	COMSET	获取价格	POWER SWITCH APPLICATIONS
BUV24	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
BUV24	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BUV25	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BUV25	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor

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