BUV22

更新时间： 2024-01-06 03:45:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	81K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BUV22 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	BFM	包装说明：	CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	2 weeks
风险等级：	1.2	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-204AE
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUV22 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV22

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V (Max.) @I_C= 10A

·High Switching Speed

·High DC Current Gain-

: h_FE= 20(Min.) @I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for high current, high speed, high power

applications.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

300

290

300

250

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

250

200

-65~200

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.7

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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