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BUV21/D

更新时间： 2024-01-01 09:25:04

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	62K
描述
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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BUV21/D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	最大集电极电流 (IC)：	40 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
Base Number Matches：	1

BUV21/D 数据手册

ON Semiconductort

BUV21

SWITCHMODEt Series

NPN Silicon Power Transistor

40 AMPERES

NPN SILICON

POWER

. . . designed for high speed, high current, high power applications.

• High DC current gain:

min. = 20 at I = 12 A

METAL TRANSISTOR

200 VOLTS

• Low V

, V

CE(sat)

250 WATTS

max. = 0.6 V at I = 8 A

• Very fast switching times:

TF max. = 0.4 µs at I = 25 A

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

200

250

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

CEO(sus)

CASE 197A–05

TO–204AE

(TO–3)

CBO

EBO

Collector–Emitter Voltage (V = –1.5 V)

250

240

CEX

CER

Collector–Emitter Voltage (R = 100 Ω)

Collector–Current — Continuous

Adc

Apk

— Peak (PW v 10 ms)

Base–Current continuous

Adc

Watts

Total Power Dissipation @ T = 25_C

250

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–65 to 200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.7

_C/W

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

120

160

200

T , TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

Semiconductor Components Industries, LLC, 2001

Publication Order Number:

May, 2001 – Rev. 9

BUV21/D

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