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BUV21G PDF预览

BUV21G

更新时间： 2024-02-08 01:50:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
4页 70K
描述
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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BUV21G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89最大集电极电流 (IC)：40 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-609代码：e0最高工作温度：200 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：250 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT)：8 MHz
Base Number Matches：1

BUV21G 数据手册

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BUV21  
SWITCHMODEt Series  
NPN Silicon Power  
Transistor  
This device is designed for high speed, high current, high power  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
40 AMPERES  
• High DC Current Gain:  
NPN SILICON POWER  
METAL TRANSISTOR  
200 VOLTS − 250 WATTS  
h
FE  
min = 20 at I = 12 A  
C
• Low V  
, V  
CE(sat)  
CE(sat)  
max = 0.6 V at I = 8 A  
C
• Very Fast Switching Times:  
TF max = 0.4 ms at I = 25 A  
C
• Pb−Free Package is Available*  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
200  
250  
7
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
CEO(SUS)  
V
CBO  
V
EBO  
TO−204AE (TO−3)  
CASE 197A  
Collector−Emitter Voltage (V = −1.5 V)  
V
CEX  
V
CER  
250  
240  
BE  
Collector−Emitter Voltage (R = 100 W)  
BE  
Collector−Current − Continuous  
I
40  
50  
Adc  
Apk  
C
− Peak (PW v 10 ms)  
I
CM  
MARKING DIAGRAM  
Base−Current Continuous  
I
8
Adc  
W
B
Total Device Dissipation @ T = 25_C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
P
250  
C
D
T , T  
−65 to 200  
_C  
J
stg  
BUV21G  
AYWW  
MEX  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
q
0.7  
_C/W  
JC  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
BUV21 = Device Code  
G
A
Y
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
WW  
MEX  
= Work Week  
= Country of Origin  
ORDERING INFORMATION  
Device  
BUV21  
Package  
Shipping  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
BUV21G  
TO−204  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 10  
BUV21/D  
1234

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BUV21G 替代型号

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