BUV21

更新时间： 2024-02-10 15:08:05

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	143K
描述
SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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BUV21 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	最大集电极电流 (IC)：	40 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	8 MHz
Base Number Matches：	1

BUV21 数据手册

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by BUV21/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

40 AMPERES

NPN SILICON

POWER

. . . designed for high speed, high current, high power applications.

METAL TRANSISTOR

200 VOLTS

•

High DC current gain:

min. = 20 at I = 12 A

250 WATTS

Low V

•

, V

max. = 0.6 V at I = 8 A

CE(sat) CE(sat)

Very fast switching times:

TF max. = 0.4 µs at I = 25 A

CASE 197A–05

TO–204AE

(TO–3)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

200

250

CEO(sus)

CBO

EBO

Collector–Emitter Voltage (V

= –1.5 V)

250

240

CEX

CER

Collector–Emitter Voltage (R

= 100 Ω)

Collector–Current — Continuous

— Peak (pw

Adc

Apk

10 ms)

Base–Current continuous

Adc

Watts

Total Power Dissipation @ T = 25 C

150

Operating and Storage Junction Temperature Range

T , T

–65 to 200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.7

C/W

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

120

160

200

, TEMPERATURE (°C)

Figure 1. Power Derating

SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.

REV 7

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4

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BUV21 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUV21G	ONSEMI	功能相似	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

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