BUV20

更新时间： 2024-11-03 22:17:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

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BUV20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	125 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	1500 ns	VCEsat-Max：	1.2 V
Base Number Matches：	1

BUV20 数据手册

BUV20

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

NPN TRANSISTOR

HIGH CURRENT CAPABILITY

FAST SWITCHING SPEED

HIGH RUGGEDNESS

APPLICATIONS

■

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL

EQUIPMENT

■

SWITCHING REGULATORS

TO-3

(version "S")

DESCRIPTION

The BUV20 is silicon Multiepitaxial Planar NPN

transistor mounted in jedec TO-3 metal case. It is

intended for use in switching and linear

applications in military and industrial equipment.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CER

V_CEX

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 100Ω)

Collector-Emitter Voltage (V_BE= -1.5V)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

160

Unit

150

160

125

I_CM

Collector Peak Current

I_B

Base Current

P_tot

250

^oC

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 C

T_stg

Storage Temperature

Junction Temperature

-65 to 200

200

T_j

1/4

January 2000

12 3 4

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