5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AUIRFU3607
AUIRFU3607 PDF预览

AUIRFU3607

更新时间： 2024-11-21 12:53:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 248K
描述
Advanced Process Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRFU3607 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.73
其他特性：HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：56 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：310 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFU3607 数据手册

 浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRFU3607的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96376  
AUIRFR3607  
AUIRFU3607  
AUTOMOTIVE GRADE  
Features  
l
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
D
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
75V  
7.34m  
Ω
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
9.0m  
Ω
G
80A  
S
56A  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersilicon  
area. Additional features of this design are a 175°C junction  
operating temperature, fast switching speed and improved  
repetitive avalanche rating . These features combine to make  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforusein  
Automotiveapplicationsandawidevarietyofotherapplications.  
D
S
S
D
G
G
I-Pak  
AUIRFU3607  
D-Pak  
AUIRFR3607  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the  
specificationsisnotimplied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability.  
The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient  
temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
80  
56  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
A
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
56  
310  
PD @TC = 25°C  
W
140  
Maximum Power Dissipation  
0.96  
± 20  
120  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
EAS (Thermally limited)  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
46  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
14  
27  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300(1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
1.045  
50  
Units  
Rθ  
–––  
–––  
–––  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
JC  
Rθ  
°C/W  
JA  
RθJA  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
06/22/11  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

AUIRFU3607 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR3607 INFINEON

完全替代

 Advanced Process Technology
IRFSL3607PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
IRFB3607PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET

与AUIRFU3607相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFU4104 INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFU4104 KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFU4105Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRFU4105Z KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFU4292 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
AUIRFU4615 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology Low On-Resistance
AUIRFU5305 INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
AUIRFU540Z INFINEON

获取价格

 		Automatic Voltage Regulator
AUIRFU5505 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
AUIRFU8401 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology New Ultra Low On-Resistance

与AUIRFU3607相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证