5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.02 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 310 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRFS3607 | INFINEON |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| AUIRFR3607 | INFINEON |
完全替代 |
Advanced Process Technology |
|
| IRFB3607PBF | INFINEON |
完全替代 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL3806PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRFSL38N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) |
|
| IRFSL38N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL4010 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFSL4010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFSL4020PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFSL4115 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFSL4115PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL4127 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFSL4127PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
