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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFZ24NSTRL
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AUIRFZ24NSTRL

更新时间： 2024-01-25 01:55:53
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
13页 235K
描述
Advanced Planar Technology Low On-Resistance

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AUIRFZ24NSTRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：0.82Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：71 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A
最大漏极电流 (ID)：17 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFZ24NSTRL 数据手册

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PD - 96377  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFZ24NS  
AUIRFZ24NL  
Features  
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
HEXFET® Power MOSFET  
D
S
V(BR)DSS  
55V  
0.07  
RDS(on) max.  
ID  
Ω
G
17A  
Automotive Qualified *  
D
D
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
Cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes  
the latest processing techniques to achieve low on-  
resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththe  
fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in Automotive and a wide variety of other  
applications.  
S
D
S
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
AUIRFZ24NS AUIRFZ24NL  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
17  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
12  
@ T = 100°C  
A
C
68  
DM  
3.8  
P
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
D
D
A
W
45  
Power Dissipation  
@T = 25°C  
C
0.3  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
± 20  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
IAR  
71  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
10  
4.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
6.8  
V/ns  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)  
40  
°C/W  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
06/22/11  
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AUIRFZ24NSTRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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