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AUIRFZ44NL

更新时间： 2024-01-23 23:31:21
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 279K
描述
AUTOMOTIVE GRADE

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AUIRFZ44NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：49 A
最大漏源导通电阻：0.0175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFZ44NL 数据手册

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PD-96391A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFZ44NS  
AUIRFZ44NL  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
S
AdvancedPlanarTechnology  
LowOn-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
V(BR)DSS  
55V  
17.5m  
49A  
RDS(on) max.  
ID  
Ω
G
Fully Avalanche Rated  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
D
D
Description  
S
Specifically designed for Automotive applications, this  
Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs  
utilizes the latest processing techniques to achieve low  
on-resistance per silicon area. This benefit combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive and a wide variety  
of other applications.  
S
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
AUIRFZ44NS  
AUIRFZ44NL  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.These  
are stress ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated  
in the specifications is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect  
device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still  
air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
49  
Units  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
35  
@ T = 100°C  
A
C
160  
DM  
3.8  
P
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
D
D
A
W
94  
Power Dissipation  
@T = 25°C  
C
0.63  
±20  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
Gate-to-Source Voltage  
V
GS  
EAS (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
150  
mJ  
EAS (tested)  
530  
IAR  
25  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
9.4  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
mJ  
5.0  
V/ns  
-55 to + 175  
T
T
J
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
STG  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.5  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
–––  
40  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
08/29/11  
1234567...13

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AUIRFZ44NL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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