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XP01504(XP1504)

更新时间： 2024-09-18 23:33:47

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XP01504(XP1504) 数据手册

複合トランジスタ

XP01504 (XP1504)

シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

+0.05

–0.02

低周波出力増幅用

0.12

0.20±0.05

特ꢀ長

1パッケージに2素子内蔵。(エミッタ共通)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能。

(0.65) (0.65)

1.3±0.1

2.0±0.1

10°

使用素子基本形名

2SD1915F × 2素子

絶対最大定格 (Ta=25˚C)

1 : Base (Tr1)

2 : Emitter

3 : Base (Tr2)

4 : Collector (Tr2)

5 : Collector (Tr1)

項目

記号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

定格

単位

コレクタ･ベース電圧

コレクタ･エミッタ電圧

エミッタ･ベース電圧

コレクタ電流

せん頭コレクタ電流

全損失

SMini5-G1 Package

素子の

定格

形名表示記号：5S

300

˚C

内部接続図

I_CP

500

P_T

150

Tr1

総合

接合部温度

保存温度

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Tr2

電気的特性 (Ta=25˚C)

項目

記号

V_CEO

条件

最小

標準

最大

単位

コレクタ･エミッタ電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

I_C= 1mA, I_B= 0

I_CBO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50V, I_E= 0

0.1

µA

V_EB= 25V, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 4mA

I_C= 30mA, I_B= 3mA

V_CE= 2V, I_C= 4mA

V_CB= 6V, I_E= –4mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

500

2500

0.1

コレクタ･エミッタ飽和電圧

ベース･エミッタ電圧

トランジション周波数

コレクタ出力容量

V_CE(sat)

V_BE

f_T

0.6

MHz

C_ob

オン抵抗

R_on

1.0

Ω

1kΩ

R 測定回路

I_B=1mA

f=1kHz

V=0.3V

V_B

V_A

V_V

V_B

R_on=

×1000(Ω)

V_A–V_B

注)( )内は,従来品番です

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