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XP01878

更新时间： 2024-11-07 23:33:47

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其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XP01878 数据手册

複合トランジスタ

XP01878

シリコンNチャネルMOS形FET

Unit : mm

+0.05

スイッチング用

0.12

–0.02

0.20 0.05

■ 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵

実装面積とアセンブリコストの半減が可能

(0.65) (0.65)

本品種

1.3 0.1

2.0 0.1

■ 基

•

2SK3539 × 2

10˚

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

ドレイン・ソース間降伏電圧

ゲート・ソース間電圧(D開放時)

ドレイン電流

記号

V_DSS

V_GSO

I_D

定格

単位

1 : Gate (FET1)

2 : Source

3 : Gate (FET2)

4 : Drain (FET2)

5 : Drain (FET1)

EIAJ : SC-88A

100

°C

SMini5-G1 Package

尖頭ドレイン電流

全許容損失

I_DP

200

形名表示記号 : AL

P_T

150

内部接続図

チャネル温度

T_ch

150

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

FET1

FET2

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_DSS

I_DSS

条件

最小標準最大

単位

ドレイン・ソース間降伏電圧

ドレイン・ソース間遮断電流

ゲート・ソース間遮断電流

ゲートしきい値電圧

I_D= 10 µA, V_GS= 0

V_DS= 50 V, V_GS= 0

1.0

µA

I_GSS

V_GS= 7 V, V_DS= 0

V_th

I_D= 1 µA, V_DS= 3 V

0.9

1.2

1.5

ドレイン・ソース間オン抵抗

R_DS(on)

I_D= 10 mA, V_GS= 2.5 V

I_D= 10 mA, V_GS= 4.0 V

I_D= 10 mA, V_DS= 4.0 V

V_DS= 3 V, V_GS= 0 V, f = 1 MHz

Ω

順方向伝達アドミタンス

Y_fs

入力静電容量（ソース接

地）

C_iss

出力静電容量（ソース接

地）

C_oss

帰還静電容量（ソース接

地）

C_rss

ターンオン時間

ターンオフ時間

t_on

V_DD= 3 V, V_GS= 0 V ∼ 3 V, R_L= 470 Ω

V_DD= 3 V, V_GS= 3 V ∼ 0 V, R_L= 470 Ω

200

t_off

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. 次ページテスト回路参照

発行年月 : 2004年2月

SJJ00262BJD

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