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XP04111

更新时间： 2024-09-18 22:11:19

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松下 - PANASONIC		/
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3页	87K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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XP04111 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

XP04111 数据手册

Composite Transistors

XP04111 (XP4111)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

0.12

–0.02

For switching/digital circuits

0.2 ^0.05

■ Features

• Two elements incorporated into one package

(Transistors with built-in resistor)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

■ Basic Part Number

10˚

•

UNR2111 (UN2111) × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Collector (Tr2)

EIAJ : SC-88

4: Emitter (Tr2)

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

−50

Collector current

I_C

P_T

T_j

−100

°C

Marking Symbol: 9U

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

°C

Tr1

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

− 0.1

− 0.5

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

Output voltage low-level

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

1.0

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJJ00161BED

12 3

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XP04111(XP4111)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04112	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
XP04112(XP4112)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04112\|XP4112	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04113	PANASONIC	获取价格	Composite Transistors
XP04113(XP4113)	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
XP04114	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
XP04114(XP4114)	ETC	获取价格	複合デバイス－複合トランジスタ
XP04114\|XP4114	ETC	获取价格	Composite Device - Composite Transistors
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