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XP04113(XP4113)

更新时间： 2024-09-18 23:33:47

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	488K
描述
Composite Device - Composite Transistors

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XP04113(XP4113) 数据手册

複合トランジスタ

XP04113 (XP4113)

シリコンPNP エピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

スイッチング用/デジタル回路用

+0.05

0.12

–0.02

0.2 ^0.05

特ꢀ長

1パッケージに2素子内蔵。(抵抗内蔵トランジスタ)

実装面積とアセンブリコストの半減が可能。

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

10°

使用素子基本形名

UNR1113(UN1113)× 2素子

絶対最大定格 (Ta=25˚C)

1 : Emitter (Tr1)

2 : Base (Tr1)

3 : Collector (Tr2)

4 : Emitter (Tr2)

5 : Base (Tr2)

6 : Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

項目

記号

V_CBO

V_CEO

I_C

定格

–50

単位

コレクタ･ベース電圧

コレクタ･エミッタ電圧

コレクタ電流

全損失

素子の

定格

–50

–100

˚C

形名表示記号：6S

P_T

150

内部接続図

総合

接合部温度

保存温度

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Tr1

Tr2

電気的特性 (Ta=25˚C)

項目

記号

V_CBO

条件

最小

–50

標準

最大

単位

コレクタ･ベース電圧

I_C= –10µA, I_E= 0

コレクタ･エミッタ電圧

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= –2mA, I_B= 0

–50

V_CB= –50V, I_E= 0

– 0.1

– 0.5

– 0.1

µA

コレクタしゃ断電流

V_CE= –50V, I_B= 0

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

V_EB= –6V, I_C= 0

V_CE= –10V, I_C= –5mA

I_C= –10mA, I_B= – 0.3mA

V_CC= –5V, V_B= – 0.5V, R_L= 1kΩ

V_CC= –5V, V_B= –3.5V, R_L= 1kΩ

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

コレクタ･エミッタ飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

トランジション周波数

入力抵抗

V_CE(sat)

V_OH

V_OL

f_T

– 0.25

– 0.2

–4.9

MHz

kΩ

R₁

–30%

0.8

+30%

1.2

抵抗比率

R₁/R₂

1.0

注) ( )内は,従来品番です

12 3

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