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XP02215(XP2215)

更新时间: 2024-09-18 23:33:47
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3页 185K
描述
複合デバイス - 複合トランジスタ

XP02215(XP2215) 数据手册

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複合トランジスタ  
XP02215 (XP2215)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit : mm  
+0.05  
0.12  
–0.02  
スイッチング用 / デジタル回路用  
0.20 0.05  
5
4
3
特ꢀ長  
1パッケージに2素子内蔵  
(抵抗内蔵トランジスース共通)  
1
2
実装面  
積とアセンブリコストの半減が可能  
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
基  
種  
10˚  
UNR2215 (UN2215) × 2  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
50  
単位  
V
1 : Emitter (Tr1)  
2 : Base  
3 : Emitter (Tr2)  
EIAJ : SC-88A  
4 : Collector (Tr2)  
5 : Collector (Tr1)  
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
50  
V
SMini5-G1 Package  
コレクタ電流  
全許容損失  
IC  
100  
150  
mA  
mW  
形名表示記号 : 9R  
PT  
合温度  
Tj  
150  
°C  
内部接続図  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
5
4
Tr1  
Tr2  
1
2
3
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
VCBO  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
50  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
50  
V
0.1  
0.5  
0.01  
µA  
µA  
mA  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
エミッース間遮断電流(C 開放時) IEBO  
流電流増幅率 hFE  
流電流増幅率比  
ICEO  
160  
460  
*
hFE(Small/ VCE = 10 V, IC = 5 mA  
0.50  
0.99  
Large)  
コレクミッタ間飽和電圧  
出力電圧ハイレベル  
出力電圧ローレベル  
入力抵抗  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
V
V
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ  
4.9  
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ  
0.2  
V
30%  
10  
+30%  
kΩ  
MHz  
トランジション周 波数  
fT  
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
150  
) 1. 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. : 2素子間比  
*
) 形名の( )内は来品  
番です  
発行年月 : 20036月  
SJJ00154BJD  
1

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