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XP01554

更新时间： 2024-09-19 03:13:59

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松下 - PANASONIC		/
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3页	91K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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XP01554 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88A	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
最大关闭时间（toff）：	17 ns	最大开启时间（吨）：	17 ns
Base Number Matches：	1

XP01554 数据手册

Composite Transistors

XP01554 (XP1554)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

–0.02

0.12

0.20 0.05

For high-speed switching

■ Features

• Two elements incorporated into one package

(Emitter-coupled transistors)

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

10˚

■ Basic Part Number

• 2SC3757 × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1: Base (Tr1)

2: Emitter

3: Base (Tr2)

EIAJ: SC-88A

4: Collector (Tr2)

5: Collector (Tr1)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

SMini5-G1 Package

Collector-emitter voltage (E-B short)

V_CEO

V_CBO

I_C

Marking Symbol: EU

(Collector open)

Emitter-base voltage

Internal Connection

Collector current

100

°C

Peak collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

300

P_T

150

T_j

150

Tr1

Tr2

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

0.1

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CB= 15 V, I_E= 0

I_EBO

V_EB= 4 V, I_C= 0

0.1

h_FE

V_CE= 1 V, I_C= 10 mA

200

0.25

1.0

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

V_BE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

0.17

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −10 mA, f = 200 MHz

450

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the switching time measurement

circuit

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: February 2004

SJJ00150BED

12 3

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