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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.09 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM1213-15L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1213-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM1213-2L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET |
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| TIM1213-30L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 7-AA03A, 2 PIN, FE |
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| TIM1213-4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM1213-4L | TOSHIBA |
获取价格 |
Low Distortion Internally Matched Power GaAs FETs (X, Ku-Band) |
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| TIM1213-4UL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET |
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| TIM1213-5 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1213-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power |
|
| TIM1213-8L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FE |
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