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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TIM1414-15L
TIM1414-15L PDF预览

TIM1414-15L

更新时间： 2024-09-17 03:27:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波局域网
页数 文件大小 规格书
4页 463K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM1414-15L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：2-11C1B, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.06Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A
最大漏极电流 (ID)：11.5 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM1414-15L 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1414-15L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
n LOW INTERMODULATION DISTORTION n HIGH GAIN  
IM3=-45 dBc at Pout= 30.0dBm  
Single Carrier Level  
n HIGH POWER  
G1dB=6.0 dB at 14.0 GHz to 14.5GHz  
n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
n HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=42.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 41.0 42.0  
¾
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
¾
VDS= 9V  
f= 14.0 to 14.5GHz  
IDS1  
DG  
A
dB  
%
4.5  
5.5  
±0.8  
¾
¾
¾
Gain Flatness  
¾
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
hadd  
IM3  
¾
29  
-45  
dBc  
-42  
Two-Tone Test  
Po=30.0 dBm  
¾
Drain Current  
IDS2  
A
4.5  
5.5  
¾
¾
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
Channel Temperature Rise  
DTch  
C
°
100  
¾
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 100 W(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 4.8A  
= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
¾
3000  
¾
Pinch-off Voltage  
V
GSoff  
V
V
-1.5  
-3.0  
-4.5  
DS  
I
= 145mA  
DS  
Saturated Drain Current  
IDSS  
VGSO  
Rth(c-c)  
VDS= 3V  
VGS= 0V  
A
10.0  
¾
-5  
¾
¾
¾
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
IGS= -145mA  
V
¾
C/W  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
°
2.0  
2.5  
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jul. 2006  
1234

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