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TIM1414-18L

更新时间： 2024-09-17 03:27:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM1414-18L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.54
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM1414-18L 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1414-18L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
P1dB=42.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz  
„ HIGH GAIN  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
G1dB=6.0dB at 14.0GHz to 14.5GHz  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3(Min.)=−25dBc at Po=36dBm Single Carrier Level  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 42.0 42.5  
⎯
VDS= 9V  
IDSQ≅4.4A  
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
⎯
f = 14.0 to 14.5GHz  
IDS1  
ηadd  
IM3  
A
%
5.5  
28  
⎯
6.0  
⎯
⎯
⎯
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
Two-Tone Test  
Po= 36.0dBm  
dBc  
-25  
⎯
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
5.5  
6.0  
⎯
⎯
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
100  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 100 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 4.8A  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 145mA  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
4500  
-2.8  
10.0  
⎯
⎯
-0.7  
⎯
⎯
-4.5  
⎯
Pinch-off Voltage  
V
Saturated Drain Current  
IDSS  
A
VGS= 0V  
IGS= -145 A  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
V
-5  
μ
⎯
C/W  
°
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
1.8  
2.3  
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jun. 2006  
1234

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