5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TIM1414-18L-252
TIM1414-18L-252 PDF预览

TIM1414-18L-252

更新时间： 2024-09-17 03:27:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 微波
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

TIM1414-18L-252 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.37
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A
最大漏极电流 (ID)：11.5 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：60 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

TIM1414-18L-252 数据手册

 浏览型号TIM1414-18L-252的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TIM1414-18L-252的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIM1414-18L-252的Datasheet PDF文件第4页 
                      
                      
                                                                                             
                                                                                             
                      
                      
                                                                                             
                                                                                             
MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1414-18L-252  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
T HIGH POWER  
P1dB=42.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz  
T HIGH GAIN  
T BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
T HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
G1dB=6.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz  
T LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3(Min.)=−25dBc at Po=36dBm Single Carrier Level  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
P1dB  
CONDITION  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
dBm 41.5 42.0  
VDS= 9V  
IDSQ 4.4A  
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
f = 13.75 – 14.5GHz  
IDS1  
ηadd  
IM3  
A
%
5.5  
24  
6.0  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
Two Tone Test  
Po= 36.0dBm  
dBc  
-25  
(Single Carrier Level)  
Drain Current  
IDS2  
A
5.5  
6.0  
C
Channel Temperature Rise  
∆Tch  
VDS X IDS X Rth(c-c)  
100  
°
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Transconductance  
SYMBOL  
CONDITION  
VDS= 3V  
IDS= 4.8A  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 145mA  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
gm  
mS  
6000  
Pinch-off Voltage  
V
-0.7  
-5  
-1.6  
-2.3  
Saturated Drain Current  
IDSS  
A
10.0  
VGS= 0V  
IGS= -145 A  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
V
µ
C/W  
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
1.8  
2.3  
°
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Jan. 2004  
1234

中文翻译

下载PDF

与TIM1414-18L-252相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1414-2-252 TOSHIBA

获取价格

 		HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz
TIM1414-2L TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-30L TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-4-252 TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-4A TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1414-4LA TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-4LA-371 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1414-5-252 TOSHIBA

获取价格

 		POWER GAAS FET
TIM1414-5L TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-7 TOSHIBA

获取价格

 		MICROWAVE POWER GAAS FET

与TIM1414-18L-252相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证