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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.7 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TIM1414-5L | TOSHIBA |
类似代替  |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1414-4LA | TOSHIBA |
类似代替 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-2L | TOSHIBA |
类似代替 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM1414-7-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=38.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz |
|
| TIM1414-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-8-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=39.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz |
|
| TIM1414-8L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1415-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1415-4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM1515-2-191 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, FET RF Power |
|
| TIM1515-7L-191 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, FET RF Power |
|
| TIM15185 | AMPHENOL |
获取价格 |
Rectangular Connector Adapter, 25 Contacts(Side1), 25 Contacts(Side2), Male-Female |
|
| TIM155M050P0X | CDE |
获取价格 |
Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1.5uF, Throu |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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