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TIM1414-5L

更新时间： 2024-11-07 03:27:39
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东芝 - TOSHIBA 微波
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描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM1414-5L 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1414-5L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
P1dB=37.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz  
„ HIGH GAIN  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
G1dB=6.0dB at 14.0GHz to 14.5GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 37.0 37.5  
⎯
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
⎯
VDS= 9V  
f= 14.0 to 14.5GHz  
IDS1  
ΔG  
ηadd  
IM3  
A
dB  
%
2.0  
⎯
23  
2.5  
±0.8  
⎯
⎯
⎯
⎯
Gain Flatness  
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
dBc  
-42  
-45  
⎯
Two-Tone Test  
Po=26.0 dBm  
Drain Current  
IDS2  
A
2.0  
2.5  
80  
⎯
⎯
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 150 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
1500  
-3.0  
5.0  
⎯
-1.5  
⎯
⎯
-4.5  
⎯
IDS= 2.4A  
VDS= 3V  
IDS= 72mA  
VDS= 3V  
VGS= 0V  
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
V
Saturated Drain Current  
A
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
Rth(c-c)  
IGS= -72μA  
V
-5  
⎯
⎯
C/W  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
3.0  
3.7  
°
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Oct. 2006  
1234

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