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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM1414-5L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1414-7 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GAAS FET |
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| TIM1414-7-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=38.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz |
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| TIM1414-8 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1414-8-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=39.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz |
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| TIM1414-8L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1415-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
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| TIM1415-4 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-9D1B, 3 PIN, FET RF Power |
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| TIM1515-2-191 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, FET RF Power |
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| TIM1515-7L-191 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, FET RF Power |
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