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TIM1314-9L PDF预览

TIM1314-9L

更新时间： 2024-11-21 05:54:59
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
4页 203K
描述
IM3(Min.)=−25dBc at Po=33dBm Single Carrier Level

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TIM1314-9L 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A
最大漏极电流 (ID)：5.7 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM1314-9L 数据手册

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MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1314-9L  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ HIGH POWER  
P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz  
„ HIGH GAIN  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
G1dB=6.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3(Min.)=−25dBc at Po=33dBm Single Carrier Level  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 39.0 39.5  
⎯
VDS= 9V  
IDSset=2.2A  
G1dB  
dB  
5.0  
6.0  
⎯
f = 13.75 to 14.5GHz  
IDS1  
ηadd  
IM3  
A
2.8  
26  
⎯
3.0  
⎯
⎯
⎯
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
%
Two Tone Test  
Po= 33.0dBm  
dBc -25  
⎯
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS+Pin-P1dB)  
X Rth(c-c)  
Drain Current  
IDS2  
A
2.8  
3.0  
80  
⎯
⎯
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 150 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 2.4A  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
mS  
2200  
-2.0  
5.0  
⎯
-0.7  
⎯
⎯
-4.5  
⎯
Pinch-off Voltage  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 72mA  
V
Saturated Drain Current  
IDSS VDS= 3V  
VGS= 0V  
A
IGS= -72 A  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
V
-5  
μ
⎯
⎯
C/W  
°
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
3.0  
3.7  
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Mar. 2006  
1234

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