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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> TIM1314-30L
TIM1314-30L PDF预览

TIM1314-30L

更新时间： 2024-09-17 03:27:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体射频场效应晶体管微波放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
MICROWAVE POWER GaAs FET

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TIM1314-30L 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：24 weeks
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：136 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

TIM1314-30L 数据手册

 浏览型号TIM1314-30L的Datasheet PDF文件第2页 
MICROWAVE POWER GaAs FET  
TIM1314-30L  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
Preliminary  
FEATURES  
n HIGH POWER  
P1dB=45.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz  
n HIGH GAIN  
n BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
n HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
G1dB=5.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz  
n LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3(Min.)=- 25dBc at Po=38.0dBm Single Carrier Level  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 44.0 45.0  
¾
VDS= 10V  
IDSset@7.0A  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
G1dB  
dB  
4.0  
5.0  
¾
f = 13.75 to 14.5GHz  
Drain Current  
IDS1  
hadd  
IM3  
A
%
10.0 11.0  
¾
¾
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
22  
¾
¾
Two-Tone Test  
Po= 38.0dBm  
dBc  
-25  
¾
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS +Pin-P1dB)  
X Rth(c-c)  
Drain Current  
IDS2  
A
¾
¾
9.0  
10.1  
100  
Channel Temperature Rise  
DTch  
C
°
¾
Recommended gate resistance(Rg) : Rg= 28 W(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
IDS= 9.6A  
VGSoff VDS= 3V  
IDS= 290mA  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
S
5.5  
-2.0  
20.0  
¾
-0.7  
¾
¾
-4.5  
¾
Pinch-off Voltage  
V
Saturated Drain Current  
I
V = 3V  
DS  
A
DSS  
V = 0V  
GS  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO IGS= -290 A  
V
-5  
m
¾
¾
¾
C/W  
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
1.1  
°
¾
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefore advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. Jul. 2006  
12

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TIM1314-30L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TIM1314-9L TOSHIBA

功能相似

 IM3(Min.)=−25dBc at Po=33dBm Single Carrier Level

与TIM1314-30L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1314-30L_09 TOSHIBA

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 		HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz
TIM1314-4UL TOSHIBA

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