5秒后页面跳转
TIM1414-10A-252 PDF预览

TIM1414-10A-252

更新时间: 2024-11-25 15:54:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power

TIM1414-10A-252 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:2-11C1B, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.07
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):11.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:60 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TIM1414-10A-252 数据手册

 浏览型号TIM1414-10A-252的Datasheet PDF文件第2页 

与TIM1414-10A-252相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1414-10LA TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-10LA-252 TOSHIBA

获取价格

HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz
TIM1414-15-252 TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF
TIM1414-15L TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-18L TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-18L-252 TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-2-252 TOSHIBA

获取价格

HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz
TIM1414-2L TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-30L TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-4-252 TOSHIBA

获取价格

MICROWAVE POWER GaAs FET