5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-11C1B, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.07 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TIM1414-10LA | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-10LA-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz |
|
| TIM1414-15-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF |
|
| TIM1414-15L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-18L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-18L-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-2-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER P1dB=33.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz |
|
| TIM1414-2L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-30L | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
| TIM1414-4-252 | TOSHIBA |
获取价格 |
MICROWAVE POWER GaAs FET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
