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TIM1213-8ULA PDF预览

TIM1213-8ULA

更新时间： 2024-11-21 20:04:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FET RF Power

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TIM1213-8ULA 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：5.57外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A最大漏极电流 (ID)：5.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：40.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM1213-8ULA 数据手册

 浏览型号TIM1213-8ULA的Datasheet PDF文件第2页 
MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1213-8ULA  
TECHNICAL DATA  
FEATURES  
„ LOW INTERMODULATION DISTORTION  
IM3= -45dBc at Pout=27.0 dBm  
at Single Carrier Level  
„ HIGH GAIN  
G1dB=8.0 dB at 12.7 GHz to 13.2 GHz  
„ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET  
„ HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
„ HIGH POWER  
P1dB=39.5 dBm at 12.7 GHz to 13.2 GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25 C )  
°
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB Gain  
Compression Point  
Power Gain at 1dB Gain  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITIONS  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
P1dB  
dBm 38.5 39.5  
⎯
G1dB  
dB  
7.0  
8.0  
VDS= 10V  
IDSset≅2.0A  
f= 12.7 to 13.2GHz  
⎯
IDS1  
ηadd  
∆G  
A
%
2.0  
39  
2.5  
⎯
⎯
⎯
Power Added Efficiency  
Gain Flatness  
dB  
dBc  
±0.8  
⎯
⎯
-42  
⎯
-45  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
IM3  
Two-Tone Test  
Po=27.0 dBm  
Drain Current  
IDS2  
A
2.0  
2.5  
80  
⎯
⎯
(Single Carrier Level)  
(VDS X IDS + Pin – P1dB)  
X Rth(c-c)  
C
°
Channel Temperature Rise  
ΔTch  
⎯
Recommended gate resistance(Rg) : Rg=150 Ω(MAX.)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25°C )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDS= 3V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
Transconductance  
gm  
S
2.0  
-2.0  
4.0  
⎯
⎯
-0.5  
⎯
⎯
-4.5  
⎯
IDS= 2.4 A  
VDS= 3V  
IDS= 72mA  
VDS= 3V  
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
V
Saturated Drain Current  
A
VGS= 0V  
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
Rth(c-c)  
IGS= -72μA  
V
-5  
⎯
C/W  
°
Thermal Resistance  
Channel to Case  
3.0  
3.7  
⎯
‹ The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Rev. August 2009  
12

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与TIM1213-8ULA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIM1314-15UL TOSHIBA

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 		TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11C1B, 2 PIN, FE
TIM1314-30L TOSHIBA

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 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1314-30L_09 TOSHIBA

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 		HIGH POWER P1dB=45.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz
TIM1314-4UL TOSHIBA

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 		RF POWER, FET
TIM1314-9L TOSHIBA

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 		IM3(Min.)=−25dBc at Po=33dBm Single Carrier Level
TIM1414-10A TOSHIBA

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 		TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11C1B, 3 PIN, FET RF Power
TIM1414-10A-252 TOSHIBA

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 		MICROWAVE POWER GaAs FET
TIM1414-10LA-252 TOSHIBA

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 		HIGH POWER P1dB=39.5dBm at 13.75GHz to 14.5GHz
TIM1414-15-252 TOSHIBA

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