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TIM1213-2L PDF预览

TIM1213-2L

更新时间： 2024-09-30 21:11:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
TRANSISTOR KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 2 PIN, FET RF Power

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TIM1213-2L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, 2-9D1B, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：5.09
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A
最大漏极电流 (ID)：2.6 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

TIM1213-2L 数据手册

 浏览型号TIM1213-2L的Datasheet PDF文件第2页 
MICROWAVE POWER GaAs FET  
MICROWAVE SEMICONDUCTOR  
TIM1213-2L  
TECHNICAL DATA  
PRELIMINARY  
FEATURES  
n
n
HIGH POWERT  
n
n
BROAD BAND INTERNALLY MATCHED  
HERMETICALLY SEALED PACKAGE  
P1dB=33.5dBm at 12.7GHz to 13.2GHz  
HIGH GAIN  
G1dB=7.5dB at 12.7GHz to 13.2GHz  
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta= 25° C )  
CHARACTERISTICS  
Output Power at 1dB  
Compression Point  
Power Gain at 1dB  
Compression Point  
Drain Current  
SYMBOL  
CONDITION  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
¾
P1dB  
dBm  
32.5 33.5  
VDS= 9V  
f= 12.7 to 13.2GHz  
¾
G1dB  
dB  
6.5  
7.5  
¾
¾
IDS1  
A
dB  
%
0.85  
¾
1.1  
Gain Flatness  
D
G
hadd  
±
0.8  
¾
¾
Power Added Efficiency  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
24  
¾
IM3  
dBc  
-42  
-45  
NOTE  
¾
¾
Drain Current  
IDS2  
D
Tch  
A
°
C
0.85  
¾
1.1  
60  
Channel Temperature Rise  
VDS X IDS X Rth(c-c)  
NOTE : Two Tone Test, Po=22dBm (Single Carrier Level)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta= 25° C )  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CONDITION  
VDS= 3V  
IDS= 1.0A  
VDS= 3V  
IDS= 30mA  
VDS= 3V  
VGS= 0V  
UNIT MIN. TYP. MAX.  
¾
-2.0  
¾
¾
Transconductance  
gm  
mS  
600  
-3.5  
2.0  
¾
Pinch-off Voltage  
VGSoff  
IDSS  
V
-5.0  
2.6  
¾
Saturated Drain Current  
A
m
Gate-Source Breakdown  
Voltage  
VGSO  
IGS= -30 A  
V
-5  
°
¾
Thermal Resistance  
Rth(c-c) Channel to Case  
C/W  
5.0  
6.0  
u The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is  
assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may results from its use,  
No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of TOSHIBA or others.  
The information contained herein is subject to change without prior notice. It is therefor advisable to contact TOSHIBA  
before proceeding with design of equipment incorporating this product.  
Jun. 2002  
12

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