Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SUP40N10-35-E3

SUP40N10-35-E3

更新时间： 2024-11-12 06:14:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	97K
描述
N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET

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SUP40N10-35-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	107 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Base Number Matches：	1

SUP40N10-35-E3 数据手册

SUP40N10-35

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 105-V (D-S) 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

FEATURES

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D TrenchFETr Power MOSFETS

D 175_C Junction Temperature

APPLICATIONS

0.035 @ V = 10 V

37.5

36.0

105

0.038 @ V = 6 V

D Automotive

− Motor Drives

− 12-V Systems

D Note Book PC adaptors

TO-220AB

G D

Top View

Ordering Information: SUP40N10-35—E3

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

105

"20

37.5

21.5

= 25_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

= 125_C

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

= 25_C

107

Maximum Power Dissipation

= 25_C

3.75

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount

62.5

1.4

Junction-to-Ambient

thJA

thJC

Free Air

_C/W

Junction-to-Case (Drain)

Notes

a. Duty cycle v 1%.

b. See SOA curve for voltage derating.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 72797

S-40445—Rev. A, 15-Mar-04

www.vishay.com

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