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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 61 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A | 最大漏极电流 (ID)： | 36 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.043 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUP45N03-13L | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUP45N03-13L-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SUP45N05-20L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220AB |
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| SUP45N05-20L-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 50V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP50010E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50020E | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50020EL | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50020EL-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SUP50N03-5M1P | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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| SUP50N03-5M1P-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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